創新版生力軍 　微矽電子20日起競拍 競拍底價32.41元

第三代半導體測試需求興起，半導體測試加工服務廠微矽電子（8162）配合創新板上市前公開承銷，對外競價拍賣3,436張，競拍底價32.41元，競拍時間自2月20日至22日，2月26日開標，暫定3月7日掛牌。展望後市，竹南廠擴廠預計今首季完工，有利晶圓測試和薄化產能擴增，FSM和SiC晶圓測試今年進入量產。

微矽電子2021、2022年稅前純益各為3.22億元、2.27億元，每股稅後純益分別為4.31元、2.70元，去年前三季稅後虧損0.66億元，每股稅後淨損0.85元。以營收比重來看，電源管理IC測試占50%，MOSFET晶圓薄化及測試約30%，第三代半導體測試10%,，半導體封裝占10%。

隨著半導體元件變得更小、更快、更強大，第三代半導體測試技術必須能夠應對這些變化， 微矽電子測試封裝產品線涵蓋GaN、SiC、MOSFET、IGBT、Diode、PMIC及MCU等，因應半導體市場對第三代半導體GaN及SiC為基材之產品需求增加，也具備第三代半導體相關之產品測試能力。

TrendForce的預測，第三代功率半導體市場呈現強勁增長。從2021年的9.8億美元預測至2025年將達到47.1億美元，年複合成長率高達48%。第三代半導體主要包括氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC），應用範圍涵蓋快速充電器、AI伺服器、無人機、家電、5G通訊、電動車、充電樁、太陽能、風電、儲能系統等多個領域。

微矽電子除深耕於測試與封裝服務外，亦跨入晶圓薄化服務，包括為晶圓進行正面金屬鍍膜、晶圓背面研磨與金屬鍍膜，能幫助降低電流通過之阻值，以減少功率損耗，除了有效減少後續封裝體積外，並能減少熱能累積效應，滿足終端產品走向「節能」的趨勢。

微矽電子董事長張秉堂表示，第三代半導體面臨多項高技術含量挑戰，第三代半導體相關之產品測試上具有相當高的門檻。微矽電子在第三代半導體氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）的測試、薄化與切割技術上領先同業3~5年；隨著客戶產品需求之成長，可望帶動公司長期營運動能。