韓媒：美國擬抑制三星電子、SK海力士中國廠傳統晶片擴產

美國出手限制中國先進晶片發展，南韓《韓國時報》（Korea Times）昨（8/6）引述消息人士說法稱，美國也正考慮限制三星電子、SK海力士在中國廠的傳統晶片擴產能力，避免中國有能力影響其他需要傳統晶片的下游經濟產業。

《韓國時報》指出，從軍事科技、航太、醫療設備、汽車、家電、消費性電子產品，傳統晶片無所不在。美國《晶片與科學法案》將傳統晶片定義為28奈米以上製程的晶片，對於先進半導體雖沒有官方定義，但一般認為是5奈米以下製程，全球半導體商龍頭都在投資研發更薄、更先進的晶片。

先進晶片通常用於軍事、人工智慧等關鍵領域的產品，但傳統晶片仍可以影響其他下游經濟活動，許多支撐現代人生活的產業仍然仰賴傳統晶片。新冠肺炎疫情期間，晶片供應鏈中斷，造成許多公司的財務壓力，也讓人們認知到傳統晶片的重要性。

美國與歐盟的決策者開始認知到，他們對於中國可能主導全球傳統晶片的野心反應太慢。消息人士表示，傳統晶片對於軍事設備仍具有相當程度的重要性，因此美國政府正準備出手抑制中國增加傳統晶片產能。

一名華府消息人士說，「若等到像中國主導太陽能板產業那樣掌控全球傳統晶片，從美國與盟友角度來看，將會是場災難，因為這代表美國不得不仰賴中國」，中國若壟斷全球傳統晶片供應，可能為美國帶來國安風險。

以太陽能板的經驗來看，中國給予國內企業巨額補貼，使外國競爭對手無招架之力。

分析人士說，中國正準備在傳統晶片產業上故技重施。據國際半導體產業協會（SEMI）數據，至2026年，中國將把成熟製程的8吋與12吋晶圓產線增加至26條；市場研究公司IBS預計，至2025年，中國在該領域的市占率將增至40%。

美國商務部先前給予三星電子和SK海力士豁免權，仍可在中國用美國設備生產28奈米、45奈米以上製程的傳統晶片，豁免效期至今年10月，韓方已要求延長一年。

三星中國西安廠的產量占其NAND記憶體總產量40%，採用128層成熟製程技術。SK無錫廠生產17奈米以下DRAM晶片、以及採用96與144層技術的NAND晶片，皆屬傳統晶片。

雖然對於中國可能掌控28奈米、45奈米以上製程晶片的疑慮加深，美方仍考慮延長豁免。前白宮國安會官員、現美國企業研究所（AEI）資深研究員庫伯（Zack Cooper）表示，「美方可能提供另一次豁免權給三星電子和SK海力士，但希望韓方能與美國共同對抗北京針對外國晶片廠商的行動，尤其是對美國的美光科技（Micron）」。

美國商務部長雷蒙多表示，所有選項都在討論範圍內，並強調美方認為中國的傳統晶片擴產是一個需要與亞洲盟友共同解決的問題。但庫伯表示，他認為拜登政府不會迅速調整政策，「美韓可能會繼續討論各種半導體產業出口限制，但調整政策需要時間」。

消息人士說，如果美國想更完善保護經濟、避免任何來自中國傳統晶片擴產的負面影響，決策者必須多加思考「有專門用途的傳統晶片」重要性，而不是只用先進／不先進來界定晶片種類。

另一名華府消息人士說，「美國正在考慮要求三星電子和SK海力士限制中國廠的專門用途傳統晶片擴產，甚至要求減產，那也是有可能的」。

美國商務部次長艾斯特維茲（Alan Estevez ）先前暗示，美方有可能在三星電子與SK海力士的中國廠豁免期屆滿後，允許繼續生產，但實施新的配額計畫。艾斯特維茲在一場產業活動上說，美方正持續與這些公司協商，「可能會抑制他們在中國發展」，不過並未具體說明所謂「新配額」指的是產能、或是產品項目。