聯電與英特爾合作開發12奈米製程,研調機構TrendForce認為這是雙贏的局面。資料照
英特爾與聯電周四(1/25)宣布將在亞利桑那州合作開發12奈米製程平台,在半導體業界引起討論。研調機構TrendForce認為,此合作案藉由聯電提供多元化技術服務、英特爾則提供現成工廠設施,採雙方共同營運。不僅幫助英特爾銜接由IDM轉換至晶圓代工的生意模式,增加製程調度彈性並獲取晶圓代工營運經驗。而UMC也不需負擔龐大的資本支出即可靈活運用FinFET產能,從成熟製程的競局中另謀生路,同時藉由共同營運Intel美國廠區,間接拓展工廠國際分布,分散地緣政治風險,此應為雙贏局面。
TrendForce表示,為減少廠務設施的額外投資成本,直接銜接現有設備機台,並有效控制整體開發時程。此次兩家業者針對12nm FinFET製程的合作案,選擇以Intel現有相近製程技術的亞利桑那廠Fab22/32為初期合作廠區,轉換後產能維持原有規模,雙方共同持有。在此情況下,TrendForce預估,所產生的平均投資金額相較於購置全新機台,可省下逾80%,僅包含設備機台移裝機的廠務二次配管費,以及其相關小型附屬設備等支出。
合作案宣布前,英特爾長期以來以製造CPU及GPU等核心晶片為主,同時擁先進製程技術,欲積極進入晶圓代工產業,在2021~2022年先後宣布IDM2.0,以及併購高塔半導體計畫,但執行受阻。而聯電則長期集中投入主力製程28nm及22nm,並有High Voltage等特殊技術優勢,但在中國廠挾帶大量資源強勢發展成熟製程的趨勢下,迫使UMC重新思考跨入FinFET世代的必要性,擴產計畫卻又受限於FinFET架構的高額投資成本而舉棋不定。
合作案宣布後,聯電在提供12nm技術部分IP協作開發的同時,也會協助英特爾洽談晶圓代工生意。聯電不僅可利用現成FinFET產能而不需攤提龐大的投資成本,又可在中國廠成熟製程的激烈競局當中脫穎而出。Intel方面,則以提供現有工廠設施,除了可獲得晶圓代工市場經驗,擴大製程彈性及多元性,亦可集中資源於3nm、2nm等更先進的製程開發。
TrendForce預期,若後續合作順利,英特爾可能考慮未來再將1~2座1Xnm等級的FinFET廠區與聯電共同管理;推測相近製程的Ireland Fab24、Oregon D1B/D1C為可能的候選廠區。不過,做為主要技術IP提供者的UMC,其14nm自2017年至今尚未正式大規模量產,12nm目前也仍在研發階段,預計2026下半年將進入量產;因此雙方的合作量產時程暫訂於2027年,FinFET架構技術穩定性仍待觀察。整體而言,TrendForce認為,在成熟製程深耕多年的聯電,與擁有先進技術的英特爾共同合作下,雙方除了在10nm等級製程獲得彼此需要的資源,未來在各自專精領域上,是否會有更深入的合作頗值得關注。