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    三星電子前工程師挖同事赴中助建半導體廠被捕 外洩技術值4.3兆韓元

    2024-12-03 18:32 / 作者 國際中心
    南韓三星電子園區。路透社資料照片
    南韓三星一名離職工程師涉嫌從事非法掮客工作,以2至3倍薪水挖走大批三星半導體人才,且對中國半導體商「成都高真科技有限公司」(CHJS)洩露業務機密,被南韓當局逮捕送檢。警方表示,外洩半導體技術經濟價值達4.3兆韓元(約1000億元台幣)。

    韓聯社報導,首爾警察廳產業技術安全偵查隊今天(12/03)表示,該名三星離職工程師因涉嫌違反《職業安定法》而被捕,移送首爾中央地方檢察廳。

    犯嫌以顧問身分參與成都高真的成立工作期間,在南韓開設獵人頭公司,以2至3倍報酬挖走三星核心技術人才,仲介這些人到成都高真上班,協助建造動態隨機存取記憶體(DRAM)工廠。

    成都高真半導體廠建成後,2022年4月開始成功生產晶圓,從完工到投產僅耗時1年3個月,而晶圓從測試到量產通常需要4至5年。

    警方指出,三星遭外洩的20奈米DRAM技術約值4.3兆韓元,考慮到該項技術的經濟效益,實際損失規模更大。

    除了該名嫌犯,另有2以相同手法挖走南韓獵人頭公司的主管及1家法人也被移送檢方,此案共21人送檢。這些獵人頭公司為成都高真挖來的技術人員超過30人。

    韓聯社報導,此次三星半導體重要技術被竊,警方卻使用《職業安定法》而非《產業技術保護法》偵辦。警方解釋,以「挖掘人才」方式洩露技術的行為,不屬於《產業技術保護法》規定的處罰對象,因此有必要修改相關法律,對產業間諜行為予以嚴懲。
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