台積電在北美舉辦技術論壇　2奈米技術開發進度良好、預計2025年量產

台積電周三（4/26）在加州聖塔克拉拉市舉辦2023年北美技術論壇，會中揭示最新的技術發展，包括2奈米技術進展和3奈米家族的新成員。這些技術組合可滿足客戶多樣化需求，其中包括強化版N3P製程、針對高效能運算應用的N3X製程以及支援車用客戶的N3AE解決方案；而2奈米技術開發進展良好，預計2025年量產。

這場技術論壇共有超過1600位客戶和合作夥伴參與，展示了18家新興客戶的創新技術，為接下來2個月登場的全球技術論壇揭開序幕，5月初起將陸續於德州奧斯汀、波士頓、歐洲、以色列、中國、日本分別舉辦論壇和技術交流活動。

台積電總裁魏哲家表示，台積電客戶從未停止尋找新方法，利用晶片的力量為世界帶來令人驚歎的創新。因此，台積電也持續成長進步，加強並推進製程技術，提高效能、功耗效率及功能性，協助客戶在未來持續釋放更多創新。


技術論壇主要的技術焦點包括：更廣泛的3奈米技術組合：N3P、N3X、以及N3AE。強化版N3E製程預計將於2023年量產。N3P預計於2024年下半年進入量產，相較於N3E，在相同漏電下，速度增快5%；在相同速度下，功耗降低5～10%，晶片密度增加4%。

N3X著重於效能與最大時脈頻率以支援高效能運算應用，相較於N3P，在驅動電壓1.2伏特下，速度增快5%，並擁有相同的晶片密度提升幅度，預計於2025年進入量產。N3AE將提供以N3E為基礎的汽車製程設計套件（PDK），預計於2023年推出，讓客戶能夠提早採用3奈米技術來設計汽車應用產品，以便於2025年及時採用屆時已全面通過汽車製程驗證的N3A製程。

2奈米製程將如期量產

2奈米進展也是業界關注焦點！台積電2奈米技術採用奈米片電晶體架構，在良率與元件效能上皆展現良好的進展，將如期於2025年量產。相較於N3E，在相同功耗下，速度最快將可增加至15%；在相同速度下，功耗最多可降低30%，同時晶片密度增加大於15%。

此外，在2021年推出N6RF技術後，台積電進一步開發N4PRF，這是業界最先進的互補式金屬氧化物半導體（CMOS）射頻技術，以支援WiFi7射頻系統單晶片等數位密集型的射頻應用。相較於N6RF，N4PRF邏輯密度增加77%，且在相同速度下，功耗降低45%。

而在先進封裝技術層面，為了滿足高效能運算應用在單一封裝中置入更多處理器及記憶體的需求，台積電正在開發具有高達6個光罩尺寸（約5,000平方毫米）重佈線層（RDL）中介層的CoWoS解決方案，能夠容納12個高頻寬記憶體堆疊。

此外，台積電也宣佈推出「SoIC-P」，作為系統整合晶片（SoIC）解決方案的微凸塊版本，提供具有成本效益的方式來進行3D晶片堆疊，SoIC-P加上目前的SoIC-X無凸塊解決方案，使得3D IC技術更臻完善。