力積電舉辦股東常會,決議2023年度不配發股利。圖中為力積電董事長黃崇仁,左為總經理謝再居。資料照。戴嘉芬攝
晶圓代工大廠力積電今天(5/21)召開股東常會。總經理謝再居表示,力積電近2年努力調整產品線投資策略,試著迎接OOC客戶需求,朝積極開發BCD製程、製作電源管理IC,擴大快閃記憶體產品線,積極推展第3代半導體氮化鎵產線,以及開發晶圓對晶圓堆疊技術等四大策略進行。在今年下半年至明年上半年,調整成效顯現,公司營收可望逐漸回升。
因董事長黃崇仁遲到,股東會一開始由謝再居進行年度報告。謝再居說,雖然 AI 近一年來的市況非常火熱,但是手機及電腦市場呈現萎縮、衰退,相關半導體產線如顯示器IC、影像感測器、電源管理IC都受到很大衝擊。
謝再居進一步指出,類標準型動態隨機存取記憶體(DRAM)雖僅占力積電5%營收,但價格隨著整體記憶體市場崩跌,使得力積電2023年總營收衰退42%,至440億元台幣。這其中包括認列103億元閒置產能會計項目損失,及銅鑼新廠24億元開辦費用,全年稅後虧損16億元。
謝再居指出,疫情過後,應用市場反彈並沒有預期的好,尤其在中國市場非常疲弱,客戶庫存調整拉長,影響客戶下單信心,加上中國成熟製程產能擴充及嚴厲競爭,代工單價緩步下調,直到今年農曆年後才有止穩跡象,其中只有記憶體代工有回升。
順應供應鏈調整地緣政治效應,以及中國業者競爭。謝再居強調,力積電近2年努力調整產品線投資策略,試著迎接離開中國生產產品的客戶(OOC;Out of China)需求,例如積極開發BCD製程,製作電源管理IC,希望未來能爭取IoT物聯網、AI、高速運算、電動車等高成長市場使用的機會。
其次,作為業界唯一提供記憶體代工的業者,力積電逐漸擴大單層式儲存型快閃記憶體(SLC NAND Flash)及高密度編碼型快閃記憶體(NOR Flash)產品線來服務客戶,應用包括網通、行動裝置、IoT及電腦週邊。
至於8吋晶圓代工方面,謝再居說,力積電與客戶合作持續精進功率元件如金氧半場效電晶體(MOSFET)、絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)產品特性,提高競爭力,同時積極推展第3代半導體氮化鎵產品線,以滿足客戶多元需求。
謝再居強調,生成式AI應用逐漸普遍,力積電已經開發晶圓對晶圓堆疊技術多年,等待AI從大型伺服器運算中心,擴展到特殊應用的邊緣AI運算小平台,就可以提供晶圓對晶圓堆疊的高頻寬低耗電解決方案。
最後,謝再居表示,力積電期待相關調整及準備工作於今年下半年至明年上半年,當客戶庫存調整恢復正常後,供應鏈調整的成效就會逐步顯現,加上銅鑼廠產線下半年開始提供業務新機會,公司營收將會逐漸回升。
此外,力積電董事會承認去年度財務報告書,並決議不配發股利。